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等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)由等離子發(fā)生器，三溫區(qū)管式爐、射頻電源、真空系統(tǒng)組成。等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD）， 該PECVD石墨烯薄膜制備設(shè)備借助13.56Mhz的射頻輸出等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在真空腔體內(nèi)形成等離子體，利用等離子的強(qiáng)化學(xué)活性，改善反應(yīng)條件，利用等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。
三溫區(qū)PECVD應(yīng)用范圍：
等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)可以用于：石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種試驗場所。可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、高duan裝飾等領(lǐng)域
三溫區(qū)PECVD技術(shù)參數(shù):
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產(chǎn)品名稱 |
三溫區(qū)PECVD |
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產(chǎn)品型號 |
CY-PECVD50-1200-Q |
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三溫區(qū)管式爐 |
工作溫度：0-1100℃ 控溫精度：±1℃ 控溫方式：AI-PID 30段工藝曲線，可存儲多條 爐管材質(zhì)：高純石英 爐管尺寸：φ50mm I.D x 1400mm L 加熱溫區(qū)：三溫區(qū) 200mm+200mm+200mm 密封方式：不銹鋼真空法蘭 極限真空度：4.4E-3Pa |
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射頻電源 |
輸出功率：0-300W zui大可調(diào)±1% RF頻率： 13.56MHz，穩(wěn)定性±0.005% 噪聲：≤55DB 冷卻：風(fēng)冷 |
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質(zhì)量流量計 |
三路質(zhì)量流量計 閥門類型：不銹鋼針閥 氣路數(shù)量：三路 承壓范圍：-0.15Mpa~0.15Mpa 量程 1~200 SCCM 1~200 SCCM 1~500 SCCM 流量控制范圍：±1.5% 氣路材料：304不銹鋼 管道接口：6.35mm卡套接頭 |
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真空系統(tǒng) |
配有一套分子泵系統(tǒng),采用一鍵式操作 600L/S |
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水冷系統(tǒng) |
CW-3200 |
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電壓 |
220V 50HZ |
