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產品名稱：ALD原子層沉積系統
產品型號：CY-200S-ALD
產品廠商：成越科儀
產品文檔：

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簡單介紹：

原子層沉積（ALD）系統是一種用于在基板表面沉積超薄膜的精密設備，具有原子級別的厚度控制能力。ALD系統通常用于半導體制造、納米技術、光電器件、以及其他高科技領域

詳情介紹：

原子層沉積（ALD）系統是一種用于在基板表面沉積超薄膜的精密設備，具有原子級別的厚度控制能力。ALD系統通常用于半導體制造、納米技術、光電器件、以及其他高科技領域。

產品特點：

**的厚度控制：ALD通過交替引入不同的前驅體氣體，在基板表面進行自限性反應，每次反應只沉積一個原子層，確保了膜厚的原子級別**控制。

均勻的薄膜覆蓋：該系統能夠在復雜的三維結構和高縱橫比的基板上實現均勻的薄膜沉積，這在傳統的沉積方法中較為困難。

廣泛的材料兼容性：ALD系統可以沉積多種材料，包括氧化物、氮化物、金屬和合金等，適應不同的工藝需求。

高質量薄膜：沉積的薄膜具有高密度、低缺陷和優良的電學和機械性能，適用于高要求的應用場景。

溫和的工藝條件：ALD工藝通常在較低溫度下進行，有利于在熱敏感材料或器件上沉積薄膜。

技術參數：

型號	CY-200S-ALD
反應腔	可以生長大 8 英寸方形樣品的標準腔體，標準大樣品高度 20mm；。基底加熱溫度 RT-400℃可控，控制精度±1℃；腔體烘烤溫度 RT-200℃可控，控制精度±1℃
沉積模式	包括以下 2 種工作模式：高速沉積的連續模式 TM （Flow TM ）沉積超高寬深比結構的停流模式 TM （StopFlow TM ）
前驅體源	共 5 路前驅體源；1 路為常溫源，4 路為加熱源，加熱溫度 RT-200℃可控，控制精度±1℃；加熱源配備高溫手動閥；標準前驅體源瓶體積 50cc。 1 路為常溫源可接水/臭氧/氧氣/氨氣/H2S 源等，制備氧化物，氮化物和硫化物。任意一路加熱源可接相關前驅體源。
前驅體管路	所有前驅體管路全部采用 316L 不銹鋼 EP 級管路，所有管路加熱溫度RT-150℃可控。
ALD 閥	每一路前驅體配置一個原子層沉積專用高速高溫 ALD 閥；ALD 閥采用系統集成的表面安裝，維修更換時可以用盲板代替；閥體加熱溫度RT-150℃可控
真空規	進口寬范圍真空規，測量范圍 2x10-4 to 10+3torr
排氣管路	排氣管路加熱溫度 RT-150℃可控；配置截止閥一個，加熱溫度 RT-150℃可控。
臭氧發生器系統	高濃度臭氧發生器，包括管路，裂解器附件；高產量>15g/h，功率0~300W可調，大濃度>3.5%(w/w)
升級接口	升級6路前驅體源的升級接口；用于原位升級微波等離子體源或者分子動能系統的硬件軟件接口；以上升級接口可以實現原位升級，無需將設備返回廠家。
控制硬件	PLC 控制系統。
控制軟件	autoALDTM專用軟件全自動控制加熱、流量、等全部沉積過程，以及溫度、壓強等實時監控。
真空機械泵	型號：TRP-6。
保修	1 年免費保修，自驗收之日起。
安裝培訓	工程師現場安裝培訓。

主要部件：

部件名稱	部件說明
主機	8 英寸方形原子層沉積系統包括： 5路前驅體源, 包括管路、高溫ALD閥門、50ml 源瓶， 4路為加熱源，1路為常溫源沉積自動控制系統, autoALDTM沉積程序控制軟件, 預裝Windows TM的筆記本電腦,
臭氧發生器系統	高濃度臭氧發生器，包括管路，裂解器附件高產量>15g/h，大濃度>3.5%(w/w)
高樣品腔蓋	用于裝載高(適合高樣品高度 ≤ 20 mm)樣品
真空機械泵系統	機械泵與相關管路真空機械泵型號：北儀優成 TRP-6