CY-in-line磁控濺射系統設備用途：

用于在晶體硅表面沉積金屬薄膜（Al、Ag、Ni、Cu、Ti、Pd等），并能夠實現反應濺射，可完成高、低真空下磁控濺射鍍膜工藝，具備較大尺寸和多種尺寸規格的晶體硅光伏電池薄膜的連續制備能力。

CY-in-line磁控濺射系統技術參數：

型號		CY-in-line
主濺真空室		方形真空室，尺寸? 1000×700×350mm
進樣室		圓筒型，臥室，尺寸? 250×420mm
真空系統配置		分子泵與機械泵，閘板閥
極限壓力	主濺射室	≦8*10-5Pa（經烘烤除氣后）
	進樣室	≦6.6*10-4Pa（經烘烤除氣后）
恢復真空時間	主濺射室	40分鐘可達到6.6*10-4Pa（系統短時間暴露大氣并充干燥氮氣開始抽氣）
	進樣室	40分鐘可達到6.6*10-3Pa（系統短時間暴露大氣并充干燥氮氣開始抽氣）
磁控靶組件		矩形靶尺寸約450*45mm；靶與樣品距離80mm可調
基片加熱臺	基片結構	尺寸125*125mm或156*156mm，可一次安裝4片樣品
	加熱溫度	室溫~400Ｃ±2  C，可控可調
氣路系統		質量流量控制器3路
設備占地面積	主機	2655 * 930mm2
	電控柜	700 *700mm2（兩個）

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