單靶磁控光纖繞絲濺射鍍膜儀是一種常見的物**相沉積（PVD）技術，用于制備各種薄膜材料。其工作原理是使用一種叫做磁控濺射的技術，將高純度的金屬或合金靶材濺射生成離子和中性原子，并將它們沉積在基底上形成薄膜。在這種濺射系統中，使用單個靶材，通常是金屬或合金的圓盤形，通過在靶材上施加高電壓和磁場，將靶材表面的粒子加速并噴向基底。由于基底通常是經過高溫處理過的，因此濺射的金屬粒子會快速擴散并形成均勻的薄膜。

為了增加濺射速率和膜質量，光纖繞絲技術被引入其中。在光纖繞絲技術中，將纖維繞在靶材和基底之間，形成一條薄薄的縫隙。通過調整靶材和基底之間的距離并控制濺射能量，可以更加**地控制沉積在基底上的薄膜的厚度和組成。

單靶磁控光纖繞絲濺射鍍膜儀是一種用于制備薄膜的設備。它可以在基板表面形成均勻、致密、薄且具有特定性質的膜層。

這種濺射系統非常適合制備高質量、高純度、均勻性好的金屬和合金薄膜，廣泛應用于微電子、光學、電池、太陽能電池等領域。

1. 光學薄膜制備：用于制作高反射、抗反射等光學薄膜。

2. 電子器件制備：用于制備半導體器件、導電膜等。

3. 光學器件制備：用于制備太陽能電池、液晶顯示器、LED等器件。

4. 防護涂層制備：用于制備具有防水、防油、防紫外線、防磨損等性能的涂層。

總的來說，單靶磁控光纖繞絲濺射鍍膜儀廣泛應用于科研和工業領域中的薄膜制備。

單靶磁控光纖繞絲濺射鍍膜儀技術參數：

產品型號	CY-MSZ180-I-DC-SS
供電電壓	AC220V，50Hz
整機功率	2kw
繞絲機構	尺寸	Φ15mmx245mm
	繞絲速度	1-300r/min
磁控濺射頭	數量	2 英寸x1
	冷卻方式	水冷
真空腔體	腔體尺寸	Φ213mm X 307mm
	觀察窗口	φ80mm
	開啟方式	上頂開式、左側開式
	腔體材料	不銹鋼 304
電源配置	直流電源數量	1 臺
	輸出功率	≤300W
	匹配方式	自動匹配
水冷系統	水箱容積	9L
	流量	10L/min
供氣系統	類型	手動微量調節閥
真空系統	前級泵	雙極旋片泵
	抽速	1.1L/s
	次級泵	渦輪分子泵
	抽速	60L/s
	抽氣口	ISO63
	出氣口	KF16
	真空計	復合真空計